光ディスク記録に関するタイミング較正のための回路、アーキテクチャ、機器、システム、アルゴリズム及び方法及びソフトウェア

专利摘要:
本開示は、光学記憶媒体における読み取り及び／又は書き込み作業を補正するための方法、ソフトウェア、及び機器に関する。当該方法は、一般的には、読み戻し信号を発出するために光学記憶媒体の領域を読み取る工程と、複数のデータエッジ（１つ又は複数の無案内エッジを含む）に関するタイミングオフセットを測定する工程と、所定のオフセットと比較しながら複数のエッジの少なくとも１つの測定されたオフセットに基づいて、複数のエッジの少なくとも１つに関するオフセット補正を記憶する工程と、を含んでいる。本開示は、好都合なことに、光学記憶媒体におけるタイミングオフセットの正確な測定と、エッジジッター、タイミングループのドリフト、又は媒体及び／又は書き込み特性の変動に無関係な他の因子、に起因するタイミングオフセットに関して測定されたオフセットの補正と、を可能にする。
公开号:JP2011510425A
申请号:JP2010542426
申请日:2009-01-13
公开日:2011-03-31
发明作者:アール．フォランド；ジュニア． ウィリアム
申请人:マーベル ワールド トレード リミテッド；
IPC主号:G11B7-0045

专利说明:

[0001] 本出願は、その全体の内容をそのまま参考文献としてここに援用している２００８年１月１４日出願の米国仮特許出願第６１／０２０，８８７号（代理人整理番号ＭＰ２３９３ＰＲ）の恩恵と、その全体をそのまま参考文献としてここに援用している２００８年２月１２日出願の米国仮特許出願第６１／０２７，９９２号（代理人整理番号ＭＰ０９６０Ｉ１ＰＲ）の恩恵と、を請求する。]
[0002] 本発明は、一般的には、光学記憶媒体への書き込みの分野に関する。より厳密には、本発明の実施形態は、光学記憶媒体への書き込みに関するタイミングオフセットの較正のための方法及び機器に関する。]
背景技術

[0003] 光学式記憶技術は、多種多様な且つ増加する種類のディスク及び用途仕様で構成されている。ディスク規格は、例えば、再生専用ディスク用のＣＤ−ＲＯＭ及びＤＶＤ−ＲＯＭ、追記型ディスク用のＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ、書き込み可能型ブルーレイディスク（ＢＤ−Ｒ）など、及び書き換え可能型ディスク用のＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＢＤ−ＲＥなどを含んでいる。ディスクフォーマット規格は、ディスクの物理的特性（例えば、機械的特性、光学的信号特性、物理的配列、書き込み方式、及び試験条件）を一般的に定義している。用途仕様は、映像内容用のビデオ用ＤＶＤと、音声内容用のオーディオ用ＤＶＤと、（ビデオカメラ及びデジタル式ビデオ録画再生装置［ＰＶＲ］での）実時間ビデオ記録用のＤＶＤ−ＶＲ及びＤＶＤ＋ＶＲと、を含んでいる。]
[0004] 数多くの光ディスク規格において、光ディスクは、使用者のデータエリアとディスク情報（リードイン）エリアを含む２つのエリアを備えている場合がある。使用者のデータエリアは、一般的には、ビデオ、オーディオ、情報テーブル、ファイルシステムデータなどを含むアプリケーションデータを書き込むために使用されている。ディスク情報（リードイン）エリアは、一般的には、例えば、ディスクサイズ、ディスクタイプ、ディスクレイアウトなどのデータを含んでいる。幾つかの光ディスク規格（例えば、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＢＤ−Ｒなど）では、ディスクは、一般的には、１回だけ書き込むことが可能である。他のディスク規格又はフォーマット（例えば、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＢＤ−ＲＥなど）では、データを複数回ディスクに書き込むことが可能である。]
[0005] 光学記憶媒体は、一般的には、データを、製造過程で金属層を付けることによって反射性になっている、データを記録した表面に、「ピット」（つまり「マーク」）及び「ランド」（つまり「スペース」）のシーケンス（例えば、連続的なトラック）として記憶する。「ランド」は、一般的には、ピットではないトラックの部分である。読み取り専用記憶媒体のピットは、一般的には、ディスクが形成される時にデータを記憶した表面の中へ成形される。書き込み可能及び書き換え可能なディスクは、一般的には、ブランク状態に製造され、予め形成された溝、つまり（ほとんどの事例では、限定的な量の型押しデータと共に）成形中に設けられる「案内溝」だけを有している。]
[0006] データは、同じピットランド原理を用いて、書き込み可能又は書き換え可能な光学記憶媒体に記憶されるが、しかしながら、ピットは、一般的には、ディスク基材に付けられる特別な位相変化物質層を「焼き付け加工」で加えられる。書き込み可能又は書き換え可能なディスクに書き込むために、光ディスクの光学式ピックアップヘッドは、一般的には、読み取りレーザーに加えてより高い電力の書き込みレーザーを装備している。或いは、１つのレーザーが、一般的には、読み取り作業用により低い電力出力と、書き込み作業用により高い電力出力の範囲と、で作動されることによって両方の機能を果たすことが可能である。]
[0007] ピット特徴を焼き付けるのに使用される電力量は、これらの特徴の形状にとって重要である。ピット特徴の形状の幾何学は、読み戻しシステムの読み戻し性能に影響を及ぼす。書き込み可能又は書き換え可能な光学記憶媒体は、異なる材料を使用している様々な製造供給元によって生産されている。したがって、２つの媒体が、同じ規格に従って製造されていても、一方の媒体にとって適切な書き込み電力レベルは、別の媒体にとって高すぎる又は低すぎる場合がある。従って、大部分の光学記憶媒体規格は、製造供給元が最適な電力レベルの仕様を定めるために幾分の融通性を含んでいる。しかしながら、製造供給元の指定する電力レベルでさえ、媒体及び／又は記録装置の一般的な工程上の変動又は記録装置の作動上の変動に起因して最適下限になる場合がある。従って、大部分の光学記憶媒体規格は、最適な書き込み電力レベルを確定するために、様々な電力レベルでデータを書き込み、そしてデータを読み戻すことによって、最適電力較正を実行するための媒体の１つ又は複数のエリアを更に画定している。ＯＰＣ作業に使用できるスペースの量は、限定的である場合もあり、データが複数のセッションで、及び／又は同じ媒体に複数の異なる記録装置を使用して、書き込まれる場合には、ＯＰＣ作業は、複数回行われる必要がある場合もある。この様な次第で、光学記憶媒体記録装置は、可能な限り最も正確な較正データを得ることが望ましい。]
[0008] 上文で説明したように、データは、一般的には、ディスク上にマーク及びスペースを作り出すことによって光学記憶媒体に書き込まれる。それぞれのマーク及び／又はスペースは、「ランレングス」を有している（例えば、データ「１１１０００１１」は、３Ｔマークと３Ｔスペースと２Ｔマークを備えている）。多くの従来式の光学記憶フォーマットは、全てのマークとスペースが、最小及び／又は最大のランレングスを有するように、ランレングス限定符号に従って、ディスクに書き込まれるデータを符号化している。タイミングオフセットエラー及び振幅変動を含む幾つかの書き込みエラーは、特定のランレングス遷移（例えば、３Ｔマークから２Ｔスペース、６Ｔスペースから３Ｔマークへの遷移など）に対応している。]
[0009] 例示的なＯＰＣシステムでは、米国特許出願公告第２００７−０２０１３３１号（当該特許出願の関連部分を参考文献としてここに援用する）に記載されるように、データは、所定のパターンに従って、所定の様々な電力レベル、タイミングオフセット、及び／又は他の調整可能な書き込み特性を使用しながら、光学記憶ディスク（又は他の光学記憶媒体）に書き込まれる。該パターンは、例えば、様々なランレングス遷移を含むためなどの目的で、選択することができる。従って、当該システムは、ディスクからのデータを読み取る読み戻し特性を所定のパターンデータ及び既に分かっている書き込み特性と相関させることによって、それぞれの遷移タイプに最適な書き込み特性を確定することができる。]
[0010] 更に、光学記憶媒体からの読み取りのための従来式の方法及び装置は、読み取り作業を媒体からのデータ読み戻しに同期させるためにタイミング回復を実行している。タイミング回復は、例えば、読み戻し信号のどの１つ及び／又は複数の試料が、媒体の記憶されたデータに対応しているかを確定するために使用することができる。従来式のタイミング回復が、不正確な判定を下す場合には、読み戻し信号は、誤って解釈される可能性がある。較正測定が正確になるように、ＯＰＣの読み取り作業中、正確に読み戻し信号に同期することは特に重要である。従って、様々な状況下で書き込まれた可能性のあるデータ（例えば、幾つかの異なる書き込み電力レベル、タイミング、オフセットなどを用いて光学記憶媒体に書き込まれた較正パターンデータ）を読み取りながら、読み戻し信号の効果的な補正（例えば、時間及び／又は振幅におけるジッターの低減）を提供することも、更に望ましい。]
[0011] ２００９年１月１３日出願の米国特許出願第１２／３５２，９５０号（当該特許出願の関連部分を参考文献としてここに援用する）に記載されるような、関連する例示的なＯＰＣシステムでは、タイミング回復ループは、読み戻し信号のタイミングを回復するために、所定の読み戻しパターンと、低周波遷移（例えば、６Ｔ／６Ｔ遷移のような長いランレングス間の遷移）の相対的安定性と、を利用している。従って、所定のデータは、長いランレングスを備える「案内エッジ」を含んでいてもよい。ＯＰＣシステムが、それらの案内エッジの１つでタイミングオフセットを検出すると、該オフセットは、読み戻しタイミングを調整するのに使用することができる。例えば、タイミングオフセット又はその微分は、エラー入力として従来式の位相固定ループ（ＰＬＬ）へ提供することができる。]
[0012] ＰＬＬは、一般的には、オフセットエラーに即時的に反応しない。その結果、案内エッジと無案内エッジの両方のタイミングオフセットは、ＰＬＬドリフト及び／又はタイミング回復プロセスの他のアーチファクトによって影響を及ぼされる場合がある。しかしながら、光学記憶媒体及び／又は用いられる書き込み特性の変動に起因するタイミングオフセットを正確に測定することが望ましい場合がある。従って、タイミングループのドリフト、又は媒体及び／又は書き込み特性の変動と無関係と考えられる他の因子、に起因する何らかのタイミングオフセットを差し引くことが望ましい。]
課題を解決するための手段

[0013] 本発明の実施形態は、光学記憶媒体を使用する読み取り及び／又は書き込み作業を補正するための方法、ソフトウェア、及び機器に関する。当該方法は、一般的には、読み戻し信号を発出するために光学記憶媒体の領域を読み取り、複数のデータエッジ（１つ又はそれ以上の無案内エッジを含む）に関するタイミングオフセットを測定し、所定のオフセットと比較しながら複数のエッジの少なくとも１つの測定されたオフセットに基づいて、複数のエッジの少なくとも１つに関するオフセット補正を記憶する、ためのステップを含んでいる。]
[0014] 例示的な或る実施形態では、該オフセット補正は、１つ又は複数の案内エッジから数ビットの距離に基づき無案内エッジに関するオフセット補正値を直線的に抽出することによって計算されてもよい。該オフセット補正は、更に、前の案内エッジと次の案内エッジの測定されたタイミングオフセットに基づき計算されてもよい。従って、該オフセット補正は、前の案内エッジから数ビットの距離に基づきまた次の案内エッジから数ビットの距離に基づき直線的に抽出することができる。或いは、該オフセット補正は、少なくとも第１及び第２の無案内エッジの測定されたオフセットに基づき、無案内エッジから計算されてもよい。]
[0015] 当該機器は、光学記憶媒体の領域を読み取るように構成された読み取りモジュールと、タイミングオフセットを測定するように構成された測定モジュールと、複数のエッジの少なくとも１つに関するオフセット補正を計算するように構成された論理と、を備えていてもよい。光学記憶媒体の領域を読み取る工程は、１つ又は複数の無案内エッジを含む複数のエッジを備えている読み戻し信号を発出する。該タイミングオフセットは、少なくとも第１の無案内エッジと、少なくとも第２のエッジ（第２の無案内エッジ又は第１の案内エッジであってもよい）と、に関して測定される。該オフセット補正は、第１及び第２のエッジの少なくとも１つの測定されたオフセットに基づいている。]
[0016] 例示的な或る実施形態では、光学ディスクの較正領域には、所定のパターンデータが書き込まれる。従って、分かっているパターンデータは、読み戻しチャネルの測定を行うタイミング（例えば、予想される遷移エッジの間、又はその前後）と、測定命令を発出するタイミング（例えば、測定回路又は他の構成部品に、特定の時点で読み戻しチャネルを測定するように命令するため）と、を確定するために処理され得る。例えば、パターンデータは、案内エッジを位置付けるために、また期待される遷移に関する案内エッジ測定命令を発出するために、処理されてもよい。当該方法は、測定命令に応えてタイミングオフセットを測定する工程、及び／又は測定命令に応えて補正されたオフセットを計算する工程を更に含んでもよい。]
[0017] 光学記憶媒体から読み取られたデータは、一般的には、所定のパターンデータを含んでいる。該パターンデータは、一般的には、媒体から読み取る前に分かっているので、読み戻し信号の期待される形状は、予測することができる。従って、当該方法は、パターンデータを読み取る前に光学ディスクの領域へパターンデータを書き込む工程を含むことができる。]
[0018] 別の実施形態では、当該方法は、較正命令に従ってパターンデータを光学記憶媒体の領域へ書き込む工程を含んでいる。該較正命令は、一般的には、該パターンデータに同期される。従って、当該方法は、較正命令とパターンデータを含んでいるビットストリームを受け取る工程を含むことができる。例えば、ビットストリームは、パターンデータに重畳された較正命令を有していてもよい。]
[0019] 当該方法の実施形態は、較正命令に従って読み戻し信号のエッジタイミングオフセットを測定する（例えば、測定命令を発出するためにパターンデータと共に命令を処理することによって）工程と、１つ又は複数の補正されたオフセットに基づいてデータを光学記憶媒体へ書き込むための書き込みオフセットを計算する（例えば、最適電力レベル、タイミングオフセットなど）工程と、を更に含んでもよい。例えば、当該方法は、１つ又は複数の測定結果をパターンデータに基づいた１つ又は複数の期待値と比較する工程を含んでもよい。別の実施形態では、当該方法は、１つ又は複数の測定結果を１つ又は複数の較正命令と相関させる工程（例えば、測定結果を電力レベル又は書き込み時に命令によって設定される他の特性と相関させる）を含んでもよい。或いは、当該方法は、１つ又は複数の測定結果をパターンデータの１つ又は複数のランレングスと相関させる工程を含んでもよい。]
[0020] 別の実施形態では、パターンデータを処理する工程は、有用な測定ロケーションを見つけるためにパターンデータを分析する工程を含んでもよい。例えば、該パターンデータは、特有のランレングス、マーク／スペースの組み合わせなどを見つけるために分析されてもよい。従って、当該方法は、マーク／スペースの組み合わせの遷移に対応するために案内エッジ命令を発出する工程を含んでもよい。１つの例示的な実施形態では、案内エッジ命令は、パターンデータの６Ｔマーク及び６Ｔスペース（又はその逆）の間での遷移に対応してもよい。]
[0021] 該案内エッジ命令は、読み戻し信号の期待される遷移に同期されてもよい（例えば、読み戻し信号がパターンデータを含んでいる所で）。読み戻し信号の１つ又は複数の特性を測定する工程は、案内エッジ命令と読み戻し信号の遷移の間のタイムオフセットを測定する工程を含んでもよい（例えば、読み戻し信号は、パターンデータによって確定されるように遷移を有するべき所で）。]
[0022] 例示的な実施形態では、当該方法は、案内エッジのタイムオフセットに従って（例えば、読み戻し信号のジッターを減らすためにＰＬＬを加速又は減速するために）位相固定ループ（ＰＬＬ）の出力を調整する工程を含んでいる。例えば、当該方法は、案内エッジ命令に従って複数のタイムオフセット測定を記憶する工程と、記憶されたタイムオフセット測定値に従ってＰＬＬ調整を計算する工程と、を含んでもよい。]
[0023] 汎用マイクロプロセッサ及び／又は従来式のデジタル信号プロセッサを装備しているシステムで実装及び／又は実行可能な、アルゴリズム、単数又は複数のコンピュータプログラム及び／又はソフトウェアは、本明細書に記載する方法の１つ又は複数のステップ及び／又はハードウェアの１つ又は複数の作業を行うように構成されてもよい。回路、装置、機器、アーキテクチャ、及び／又はシステムは、一般的には、本明細書で開示する１つ又は複数の発明のコンセプトを具現化している１つ又は複数の構成部品を含んでいるものを備えている。]
発明の効果

[0024] 本発明は、好都合なことに、光学記憶媒体及び／又は使用される書き込み特性の変動に起因するタイミングオフセットを正確に測定する能力と、タイミングループのドリフト又は媒体及び／又は書き込み特性の変動に無関係であると考えられる他の因子に起因するタイミングオフセットに関して、測定されたオフセットを補正する能力と、を提供している。]
図面の簡単な説明

[0025] 本発明の或る実施形態による例示的な方法の流れ図である。
例示的な波形を示している線図である。
本発明の或る実施形態による例示的な機器を示している概略図である。
本発明の或る実施形態による較正ビットストリームを処理するための例示的な機器を示している概略図である。
例示的な光学記憶装置の概略図である。]
実施例

[0026] これより、実例を添付図面に図示している、本発明の様々な実施形態を詳細に参照してゆく。本発明は、下文で説明する実施形態に関連付けながら説明してゆくが、実施形態は、本発明を制限するものとして意図されていない。それどころか、本発明は、特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲の中に含まれ得る代替物、修正品、等価物を含むことを意図している。更に、本発明に関する以下の詳細説明において、数多くの具体的な細部は、本発明の十分な理解を提供する目的で述べられている。しかしながら、本発明は、それらの具体的な細部無しに実施してもよい。他の事例では、本発明の態様を不必要に分かりにくくしないように、周知の方法、手順、構成部品、及び回路を詳細に記述していない。]
[0027] 以下に続く詳細な説明の幾つかの部分は、プロセス、手順、論理ブロック、機能ブロック、処理、及びコンピュータ、プロセッサ、コントローラー、及び／又はメモリの中のデータビット、データストリーム、又は波形に関する作業についての他の象徴的な表現の用語を使って述べられている。これらの説明及び表現は、概して、作業の内容を他の当業者に効率的に伝達する目的で、データ処理技術の業者によって使用されている。プロセス、手順、論理ブロック、機能、作業などは、本明細書において、また一般的には、所望の及び／又は期待する結果をもたらすステップ又は命令の自己無撞着順序であると考えられている。当該ステップは、一般的には、物理量の物理的操作を含んでいる。大抵の場合、必ずというわけではないが、それらの量は、コンピュータ、データ、処理システム、又は論理回路の中で、記憶、移動、結合、比較、及びその他の方法で処理することのできる、電気的、磁気的、光学的、又は量子的な信号の形態をとっている。それらの信号を、ビット、波動、波形、ストリーム、数値、記号、特徴、期間、数字又は類事のものと呼ぶことは、主として一般的な用法という理由で、折に触れて好都合であることを証明してきた。]
[0028] それら及び類似する用語の全ては、適切な物理量に関連付けられており、それらの量に付される都合のよい標識にすぎない。特に他の方法で示されない限り、及び／又は以下の考察から明白となるように、本出願を通して、例えば「処理する」、「作業する」、「算出する」、「計算する」、「確定する」、「操作する」、「変換する」、「表示する」又は類似する作業などの用語を利用している考察は、物理（例えば、電子的な）量として表現されるデータを操作及び変換する、コンピュータ、データ処理システム、論理回路又は類似の処理装置（例えば、電気的、光学的又は量子的な演算又は処理装置）の働きと工程について言及するものであると理解頂きたい。これらの用語は、システム又はアーキテクチャ（例えば、レジスタ、メモリ、他のその様な情報記憶装置、送信または表示装置など）の１つ又は複数の構成部品の中の物理量を、同じ又は異なるシステム又はアーキテクチャの他の構成部品の中の物理量として類似して表現される他のデータに操作又は変換する処理装置の働き、作業及び／又は工程を指している。]
[0029] 更に、利便性且つ簡素性のために、用語「クロック」、「時間」、「比率」、「期間」及び「振動数」は、一般的には、本明細書では置き換え可能に使用されているが、一般的には、当該技術分野で認識されている意味が付与されている。更に、利便性且つ簡素性のために、用語「に接続されている」、「を伴っている」、「と連結している」及び「と通信して」（用語を使用している文脈が、明らかに他の方法を示しているのでなければ、これらの用語は、接続された、連結された、及び／又は通信要素間の直接的及び／又は間接的な関係を、更に指している）と同様に、用語「ビットストリーム」、「データ」、「データストリーム」、「波形」及び「情報」は、置き換え可能に使用されてもよいが、これらの用語にも、一般的には、当該技術分野で認識されている意味が付与されている。]
[0030] 最後に、用語「マーク」、「スペース」、「ピット」及び「ランド」は、一般的には、書き込み可能な光学記憶媒体の上に書き込まれた（及び／又は書き込まれない）特徴を指しており、２進値及び／又は媒体上に符号化された他のデータを表わしている場合がある。「マークとスペース」及び／又は「ランドとピット」の意味論的な有用性は、光学記憶媒体のフォーマットに応じて変わってもよいが、それらの用語には、一般的には、当該技術分野で認識されている意味が付与されている。]
[0031] 例示的な実施形態に関して、様々な態様で、本発明を下文においてより詳細に説明してゆく。]
[0032] タイミング較正のための例示的な方法
図１は、最適電力（及び随意的には、タイミング）較正（ＯＰＣ）のための例示的な方法１００を示している。方法１００は、一般的には、読み戻し信号を発出するために、光学記憶媒体１０１の領域を読み取るためのステップ１２０と、１つ又は複数の測定命令を発出するために、所定のパターンデータを処理するためのステップ１１０から１１２と、１つ又は複数の測定結果を作り出すために、読み戻し信号を処理し、測定命令に応えて案内エッジと無案内エッジのタイミングオフセットを測定するためのステップ１２１から１２３と、を含んでいる。様々な実施形態では、光学記憶媒体１０１は、例えば、追記型光ディスク（例えば、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ又はＤＶＤ＋Ｒ、ＢＤ−Ｒなど）又は書き換え可能型光ディスク（例えば、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ又はＤＶＤ−ＲＡＭ、ＢＤ−ＲＥなど）を備えていてもよい。] 図１
[0033] 方法１００は、ステップ１１０で始まり、パターンソース１０２からパターンデータを受け取る。該パターンデータは、一般的には、記憶媒体から何らかのデータを読み取る前に分かっているので、読み戻し信号の期待される形状は、予測することができるようになる。従って、データを記憶媒体から読み取るステップ１２０の期間又はそれ以前に、ステップ１１１で、既に分かっている書き込まれた信号の複製は、分析され得る。]
[0034] １つの例示的な実施形態では、該パターンデータは、様々な書き込み特性を用いながらパターンデータを光学記憶媒体に書き込むための図３の方法３００によって媒体１０１に書き込まれもよい。パターンソース１０２は、例えば、メモリ（例えば、光学記憶媒体に書き込まれるべきパターンデータを更に提供するメモリ）、プロセス、回路、又はアルゴリズムに従ってパターンデータを生成するための他の手段、バッファ（例えば、光学記憶媒体１０１に書き込まれたパターンデータを記憶するバッファ）などを備えていてもよい。] 図３
[0035] ステップ１１１では、該パターンデータは、読み戻し信号の中で有用な測定ロケーションを見つけるために分析される。例えば、該パターンデータは、特定のランレングス、マーク／スペースの組み合わせなどを見つけるために分析されてもよい。最適電力較正（ＯＰＣ）作業（随意的に、タイミング較正作業を更に含んでいてもよい）の間、最善の書き込み特性を選択するために、読み戻し信号を正確に測定することが特に重要である。]
[0036] 光学記憶媒体から読み取るための従来式の方法及び装置は、読み取り作業を媒体から読み戻されたデータに同期させるためにタイミング回復を行う。しかしながら、データを書き込むために用いられる書き込み特性（例えば、出力、タイミング、オフセットなど）が、大幅に変わる可能性があるので、従来式のＯＰＣ書き込みプロセスは、タイミングループを適正に調整することをより困難にする可能性がある。従って、読み戻し信号のタイミング位相オフセット、エンベロープオフセット、及び／又はエンベロープゲインにおけるジッター又は他の変動を安定化させることが望まれる。]
[0037] マーク及び／又はスペースのより長いランレングスは、より短いランレングスに比べて変動が小さい傾向がある。結果的に、より長いランレングス間の遷移（例えば、６Ｔマークと６Ｔスペース間又はその逆の場合の遷移）は、より短いランレングスまで又はからの遷移に比べてより安定している傾向があり、案内エッジとして使用することができる。従って、ステップ１１１は、その様な遷移を見つけるために該パターンデータを分析する工程を含むことができる。マーク及び／又はスペースの長いランレングスの間で遷移を見つける工程に加えて、ステップ１１１は、該パターンデータにおいて他の無案内エッジ遷移を見つける工程を更に含んでもよい。]
[0038] ステップ１１２では、測定命令が、ステップ１１１の分析に従って発出される。当該測定命令は、信号、作業符号、又は或る特定の時に（例えば、読み戻し信号が、パターンデータの１つ又は複数の特徴に対応することが期待される時に）読み戻し信号の１つ又は複数の特性を測定するための他のメッセージ、を含んでもよい。例えば、当該測定命令は、読み戻し信号で期待される遷移に同期されたタイミングオフセット測定命令を含んでもよい。タイミングオフセット命令は、読み戻しタイミングループを調整するためにパターンデータの安定したエッジに同期された案内エッジ測定命令、及び／又は他のタイミングオフセット命令（例えば、書き込み特性を較正するための）を含んでもよい。当該測定命令は、エンベロープ測定命令（例えば、読み戻し信号のエンベロープの振幅又は他の特性を測定するための命令）及び／又は読み戻し信号の他の特性を測定するための命令を更に含んでもよい。]
[0039] 図２は、パターンデータ２１０に対応する例示的な理想読み戻し信号波形２０１を示している。波形２０２は、タイミング、エンベロープオフセット、及びエンベロープゲインの変動を含んでいる例示的な読み戻し信号である。図２で示している実例では、マーク２１２、２１８と、スペース２１１、２１３、２１８、２１９は、それぞれ６Ｔランレングスを有しており、マーク２１４、２１６と、スペース２１５は、それぞれ３Ｔランレングスを有している。] 図２
[0040] 案内エッジ測定信号２２０は、一般的には、タイミングループを調整するために読み戻し信号のタイミングオフセットを測定するための命令に対応している。従って、案内エッジ２２１は、６Ｔスペース２１１と６Ｔマーク２１２の間の遷移に対応し、案内エッジ２２２は、６Ｔマーク２１２と６Ｔスペース２１３の間の遷移に対応し、案内エッジ２２３は、６Ｔスペース２１７と６Ｔマーク２１８の間の遷移に対応し、案内エッジ２２４は、６Ｔマーク２１８と６Ｔスペース２１９の間の遷移に対応している。エンベロープ測定信号２３０は、一般的には、読み戻し信号のエンベロープを測定するための命令に対応している。]
[0041] 再度図１を参照すると、ステップ１２１では、読み戻し信号は、測定命令に従って処理されている。従って、ステップ１２２は、読み戻し信号における無案内エッジ遷移のタイミングオフセットを測定する工程と、読み戻し信号の振幅を測定する工程と、及び／又は読み戻し信号の何らかの他の特性を測定する工程、を含んでもよい。ステップ１２３は、案内エッジ信号２２０の各エッジで読み戻し信号のタイミングオフセットを測定する工程を含んでもよい（例えば、読み戻しタイミングループを調整するために、パターンデータの比較的安定した遷移に同期されたエッジ２２１、２２２、２２３及び２２４の読み戻し信号を測定するために）。読み戻し信号でオフセットされた時間を測定する工程は、例えば、案内エッジ測定命令に対応する時間の読み戻し信号の振幅を測定する工程と、測定された振幅に従ってオフセットされた時間を計算する工程と、を含んでもよい。ステップ１２５では、位相固定ループ（ＰＬＬ）の出力は、案内エッジ測定に従って調整されてもよい（例えば、読み戻し信号のジッターを減らすためにＰＬＬを加速又は減速するために）。] 図１
[0042] タイミングオフセットが、測定されると、ＯＰＣ作業は、各エッジの分散並びに平均を獲得することができる。各エッジの分散は、ＰＬＬディザーに起因するタイミング回復ジッター、書き込み中の電力変化に起因する変動、及び／又は実際のマークエッジジッターに起因するエッジジッター、によって引き起こされる場合がある。実際のマークエッジジッターに起因するエッジジッターを正確に把握することが望まれる。この影響を他から隔離することによって、エッジジッターを最適化するために、書き込み中にシステムパラメータを修正することが可能になる。これは、位相変化媒体の最適化にとって特に重要である。]
[0043] 案内エッジジッターが、本質的にＰＬＬディザリングに起因する場合には、案内エッジ間のタイミングオフセットを推定することによって、ＰＬＬディザリングの影響を、無案内エッジの測定されたタイミングオフセットから差し引くことができる。得られた分散は、その後、エッジジッターを正確に把握及び／又は補正するのに（例えば、頻度ヒストグラムを用いて）使用することができる。]
[0044] 従って、ステップ１２４では、少なくとも１つの隣接する案内エッジの測定されたオフセットに基づく無案内エッジに関する（補正された）オフセットを、メモリに記憶することができる。ステップ１３０では、ステップ１２４で記憶したオフセット及び／又は他の測定値を分析することができる。例えば、補正されたオフセットは、案内エッジ（例えば、直前又は次の案内エッジ）から数ビットの距離に基づいて無案内エッジに関するオフセット補正値を直線的に抽出することによって、計算又は確定することができる。或いは、補正されたオフセットを計算する工程は、前の案内エッジと次の案内エッジの両方の測定されたタイミングオフセットに基づいて無案内エッジに関するオフセット値を（例えば、直線的推定によって）計算する工程を備えることができる。]
[0045] 他の実例では、ステップ１３０は、２００６年１２月２６日出願の米国特許出願第１１／６４６，０９８号（代理人整理番号ＭＰ０９６０）で更に詳細に記載されるように、複数の時間オフセット測定値を記憶する工程と、書き込みプロセスを較正するべく最適な書き込み特性を確定するために１つ又は複数の測定値を分析する工程と、を含んでもよい。従って、当該方法は、書き込み較正データ（例えば、最適特性及び／又は最適特性を確定するために後で使用されるデータ）を記憶するために随意的なステップ１３０を含んでもよい。]
[0046] 従って、方法１００は、光学記憶媒体からパターンの読み戻し中に、既に分かっている書き込まれたパターンの同期された複製を参照として使用する工程を提供している。この方法は、試料が、特定のマーク／スペースの組み合わせを示していることを予め確定することができ、且つタイミング回復ループを案内するのに使用することができる。安定したエッジが、この案内エッジに選択されれば、非常に安定した照会を実現することができ、これは、タイミングループを固定するために使用される。測定用（例えば、書き込み較正用）に期待されるエッジの場所を確定するのに、パターンデータから得られる無案内エッジ位置を使用してもよい。無案内エッジタイミングオフセットは、その後、マークエッジジッターの影響をより正確に測定するために、案内エッジの測定されたオフセットに基づいてタイミング回復ループドリフトの影響に対して補正することができる。]
[0047] タイミング位相エラーは、遷移の前と後では値のランレングスに応じて変化する場合がある。例えば、６Ｔスペースが後に続く３Ｔマークに対するタイミング位相エラーは、４Ｔマークが後に続く５Ｔスペースに対するタイミング位相エラーとは異なる場合がある。従って、各遷移タイプに対して最適なタイミング位相オフセットを確定することが望ましく、スペースの別のランレングスが後に続いているマークの一方のランレングス、およびそれとまったく逆の間の遷移の組み合わせ毎に、遷移タイプが存在している。例えば、符号化システムの最大ランレングスが１０の場合には、その結果、（可能なランレングスの組み合わせは１００存在し、２つの異なる遷移方向［例えば、「スペース」までの「マ—ク」と、「マーク」までの「スペース」］が、考えられるので）２００の異なる最適なタイミング位相オフセットが必要である可能性がある。従って、別の実施形態では、確定するステップは、パターンデータの遷移タイプ毎に最適なタイミング位相オフセットを選定する工程を備えている。次いで、当該最適なタイミング位相オフセットは、遷移のタイミングを調整する目的で（例えば、書き込みレーザーを最適な時にオン、オフに切り換えるために）データをディスクに書き込む時に、後で使用することができる。従って、本発明の方法の別の態様は、例えば、追加の最適なタイミングオフセット及び／又はゲインを書き込み信号に加えるために、読み戻し信号のタイミング位相オフセット、エンベロープオフセット、及び／又はエンベロープゲインを調整する工程を更に含んでもよい。]
[0048] 非案内データ上でエッジタイミングだけを測定するために本明細書で説明している測定技法を使用することは、同様に可能である。一般的には良好なデータに関する形状は、比較的容易に検出することができ、その様な検出された形状は、エッジを分類するのに利用することができる。長い書き込み作業の間、この「非案内エッジタイミング」技法は、書き込み作業中に書き込みを停止すること、逆の方向にデータを探求すること、直前に書き込まれた一連のデータを読み取ること、及びタイミング情報を測定すること、を可能にさせる。該書き込み作業は、随意的に、本開示に従う電力又はタイミングに適応させた後で、再び開始することができる。]
[0049] 別の実施形態では、該処理ステップは、パターンデータのそれぞれの遷移に対するタイミング位相エラー値をメモリに記憶する工程を更に備えている。書き込みに最適なタイミング位相オフセットを確定するために、それらの記憶した値は、遷移タイプ毎の平均タイミング位相エラーを確定するために処理することができる。例えば、最適な書き込み特性を確定するために記憶した値を処理する時には、パターンデータと記憶したタイミング位相エラー値の両方がメモリから読み取られる。従って、タイミング位相エラー値を遷移タイプと相関させることが可能になり、遷移タイプ毎のタイミング位相エラーのヒストグラムを作ることができる。該ヒストグラムは、各遷移タイプを書き込むのに最適なタイミング位相オフセットを確定するために分析することができる。更に、該データは、ジッターの様な書き込み特性に関する有益な識見を提供することができる（例えば、或る遷移タイプに関してタイミング位相エラーに統計的に有意な変動が存在する場合）。当業者であれば、最も必要な情報を収集するためにパターンデータを選定することができる。例えば、高周波遷移は、より一般的に書き込まれるので、該パターンデータは、比較的多数の高周波遷移と、比較的少数の低周波遷移を含むことができる。]
[0050] 例示的なソフトウェア
本発明は、当該方法の１つ又は複数のステップ及び／又はハードウェアの１つ又は複数の作業を実行するように構成されている、マイクロコントローラー、マイクロプロセッサ、又は他の命令プロセッサ（例えば、従来式のアナログ及び／又はデジタル信号プロセッサを装備している汎用コンピュータ又はワークステーション）を含んでいる機器の中で又は機器を用いて実装及び／又は実行可能な、アルゴリズム、コンピュータプログラム、及び／又はソフトウェアを更に含んでいる。従って、本発明の別の態様は、上記の方法を実行するアルゴリズム及び／又はソフトウェアに関する。例えば、本発明は、適切な処理装置によって実行される場合、上述の方法及び／又はアルゴリズムを実行するように構成されている一連の命令を含んでいるコンピュータプログラム、コンピュータ可読媒体又は波形に関する場合がある。]
[0051] 例示的な機器
図３は、光学記憶媒体３０１に書き込む及び／又は光学記憶媒体３０１から読み取るための機器３００を示している。書き込み回路３１０は、パターンソース３０２からパターンデータを取得し、該パターンデータを光学記憶媒体３０１に書き込むように構成されている。読み取り回路３４０は、該パターンデータを含んでいる光学記憶媒体３０１の領域を読み取り、読み戻し信号を発出するように構成されている。パターン分析器３２０は、パターンデータをパターンソース３０２´から受け取り、該パターンデータに応えて１つ又は複数の測定命令信号を発出するように構成されている。] 図３
[0052] パターンソース３０２´からのパターンデータは、一般的には、パターンソース３０２からのパターンデータの複製であり、読み取り回路３２０によって読み取られたデータに同期される（例えば、パターン分析器３２０が、パターンを媒体３０１から実際に読み取る前に、パターンデータの複製を分析する時間を有するように）。パターンソース３０２及び／又は３０２´は、例えば、メモリ（例えば、光学記憶媒体に書き込まれるパターンデータを更に提供するメモリ）、プロセス、回路又はアルゴリズムに従ってパターンデータを生成するための他の手段、バッファ（例えば、光学記憶媒体１０１に書き込まれたパターンデータを記憶しているバッファ）などを備えていてもよい。パターンソース３０２及び／又は３０２´は、同じ装置及び／又は装置の領域を備えていてもよく、又は異なる装置及び／又は装置の異なる領域（例えば、異なるメモリロケーション）を備えていてもよい。]
[0053] 測定回路３２１は、１つ又は複数の測定結果を作り出すための測定命令信号に応えて読み戻し信号の１つ又は複数の特性を測定するように構成されている。測定分析器３３０は、測定結果に応えて１つ又は複数の読み取り特性（例えば、読み取り回路３４０に関する特性）に関する調整を確定するように構成されている。]
[0054] 様々な実施形態では、光学記憶媒体３０１は、例えば、追記型光ディスク（例えば、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ又はＤＶＤ＋Ｒ、ＢＤ−Ｒなど）、又は書き換え可能な光ディスク（例えば、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＢＤ−ＲＥなど）の様な光ディスクを含んでもよい。]
[0055] 機器３００は、一般的には、光学記憶媒体３０１からパターンの読み戻し中に、既に分かっている書き込まれたパターン３０２に同期された複製を参照として使用する工程を提供している。パターン分析器３２０は、試料が、特定のマーク／スペースの組み合わせを示していることと、試料を、タイミング回復ループを中へ案内するのに使用する又は読み取り回路３４０に連結することが可能であることと、を事前に確定することができる。安定したエッジが、この案内エッジに選択されれば、非常に安定した照会を実現することができ、タイミングループを固定するために使用される。測定用（例えば、書き込み較正用）に期待されるエッジの場所を確定するのに、パターンデータから得られる他のエッジ位置を使用してもよい。パターンデータは、更に、ゲイン及びオフセットの補正用の信号エンベロープを確定するのに使用することができる信号位置を画定するために使用されてもよく、それはさらに測定を安定化させる。]
[0056] 測定回路３２１は、案内エッジ信号２２０のそれぞれのエッジで読み戻し信号のタイミングオフセットを測定するように構成されてもよい（例えば、読み戻し回路３４０からの読み戻し信号を測定するように、（例えば、図２のエッジ２２１、２２２、２２３、２２４では、読み戻しタイミングループを調整するために、パターンデータの比較的安定した遷移に同期されている）。測定回路３２１は、更に、読み戻し信号の無案内エッジでタイミングオフセットを測定するように構成されてもよい（例えば、書き込み特性を較正するために）。読み戻し信号のタイムオフセットの測定は、例えば、案内エッジ測定命令に対応する或る時間に読み戻し信号の振幅を測定する工程と、測定された振幅に従ってタイムオフセットを較正する工程と、を含むことができる。] 図２
[0057] 測定分析器３３０は、複数の案内エッジと、案内エッジ命令に従う無案内タイムオフセット測定とを（例えば、レジスタ、メモリなどに）記憶するように、且つ本明細書に記載しているように、無案内エッジに関して補正されるオフセットを計算するように、構成されてもよい。幾つかの実施形態では、測定分析器３３０は、本明細書の図３に関して、また、２００６年１２月２６日出願の米国特許出願第１１／６４６，０９８号（代理人整理番号ＭＰ０９６０）で更に詳細に説明されているように、書き込みプロセスを較正するのに最適な書き込み特性を確定するべく１つ又は複数の補正されたタイミングオフセットを分析するように構成されてもよい。従って、測定分析器３３０は、書き込み較正データ３０３（例えば、最適特性を確定するのに後で使用される最適特性及び／又はデータ）を記憶するように構成することができる。] 図３
[0058] 図４は、較正ビットストリームからパターンデータ及び／又は書き込み命令を抽出するための例示的な機器４００を示している。従って、本明細書で記載しているパターンソース１０２、３０２及び／又は３０２´は、機器４００を備えていてもよい。メモリ４１０は、一般的には、較正ビットストリームに対応するデータを記憶するように構成されている。メモリ４１０は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリの様な不揮発性メモリ、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、及び／又は他の適切な電子データ記憶要素を備えていてもよい。メモリ４１０は、一般的には、（例えば、並列データバス及び／又は直列通信チャネルを通して）較正ビットストリームをＯＰＣデコーダ４２０に提供する。] 図４
[0059] ＯＰＣデコーダ４２０は、一般的には、較正ビットストリームから較正パターンデータ及び較正命令を抽出するように構成されている。該較正命令は、実質的に、較正パターンデータに同期されてもよい。従って、ＯＰＣデコーダ４２０は、パターンデータに対応する信号Ｐに加えて、パターンデータと共に符号化された命令に対応する複数の出力信号Ｓ０からＳ４を提供することができる。ＯＰＣデコーダ４２０は、専用の回路構成（例えば、アプリケーション特有の集積回路、又はメモリ４１０又はメモリ４１０を含んでいるより大型のメモリからのデータを受け取る又は処理するより大型の集積回路の中の機能回路ブロック）を用いて実装されてもよいが、マイクロコントローラー又はマイクロプロセッサ用のソフトウェア内に実装されてもよい。ＯＰＣコントローラー４３０は、Ｓ０からＳ４までの信号とパターンデータＰを受け取り、命令及びパターンデータを用いて、最適な書き込み特性を確定するために書き込みモジュール４４０と読み取りモジュール４５０を制御することができる。]
[0060] 例示的なシステム
次に図５に示すように、本発明は、光学記憶（例えば、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤなど）システム５１０で実行することができる。信号処理及び／又は制御回路５１２及び／又はシステム５１０の他の回路は、ＯＰＣ回路を含んでもよい、及び／又は本明細書で提示しているＯＰＣ作業を実行してもよく、且つ更に、データを処理し、符号化及び／又は暗号化を行い、計算を行い、及び／又は光学記憶媒体５１６から読み取ったデータ及び／又は光学記憶媒体５１６へ書き込まれたデータを初期化することができる。幾つかの実施では、信号処理及び／又は制御回路５１２及び／又はシステム５１０の他の回路（図示せず）は、例えば符号化及び／又は復号化及び／又は光学記憶システムに関連付けられる何らかの他の信号処理機能などの他の機能を、更に行うことができる。] 図５
[0061] システム５１０は、１つ又は複数の有線又は無線通信リンク５１７を通じて、例えば、コンピュータ、テレビジョン又は他の装置などの出力装置（図示せず）と通信できる。システム５１０は、例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、フラッシュメモリの様な不揮発性メモリ及び／又は適切な電子データ記憶装置などのメモリ５１９に接続されてもよい。]
[0062] 結論／概要
従って、本発明は、光学記憶媒体への書き込み用タイミングオフセットの較正のための諸方法、ソフトウェア、及び機器を提供する。本発明は、好都合なことに、光学記憶媒体及び／又は書き込み特性の変動に起因するタイミングオフセットを正確に測定する能力と、タイミングループのドリフトに、又は媒体及び／又は書き込み特定の変動と無関係であると考えられる他の因子に、起因するタイミングオフセットに対して測定されたオフセットを補正する能力と、を提供する。例えば、読み戻しデータのエッジの標準偏差を確定する工程は、出力較正にとって有用な案内になり得る。エッジ間の変動の影響を、エッジタイプ自体の変動から分離することによって、許容可能なジッターを与える最小電力を確定することが可能になる。比較的高い電力は、可能な上書き回数を制限する可能性があるので、読み取り及び書き込み可能な媒体とって、読み取り／書き込み作業における低電力は、非常に有利である。結果的には、実際のジッターの高感度及び／または強固な測定（或る種のエッジ間データ遷移測定を用いて確定されるような）は、位相変化媒体（例えば、光学データ記憶媒体）における電力較正にとって有利である。]
[0063] 本発明は、様々な状況下で書き込まれた可能性のあるデータ（例えば、幾つかの異なる書き込み出力レベル、タイミングオフセットなどを用いて光学記憶媒体に書き込まれた較正パターンデータ）を読み取る間に、読み戻し信号の実効的な補正（例えばジッターの低減）を更に提供している。従って、本発明は読み戻し信号における変動の高度に安定した測定を提供する。]
[0064] 本発明の特定の実施形態についての前述の説明は、例示及び説明の目的で提示されてきた。それらの説明は、網羅的であるよう又は本発明を開示された形態にそっくりそのまま限定するように意図されてなく、先に述べた教示に照らし合わせて、明らかに数多くの修正及び変形が可能である。実施形態は、本発明の原理及びその実用化を最もよく説明し、結果的に他の当業者が、意図される特定の使用に適するように様々な修正を加えながら本発明及び様々な実施形態を最も上手く利用できるようにする目的で選択及び説明された。本発明の範囲は、本明細書に添付される特許請求の範囲及びその等価物によって定義されるべきものと意図されている。]

权利要求:

請求項1
光学記憶媒体からの読み取り作業及び／又は光学記憶媒体への書き込み作業を補正する方法において、読み戻し信号を発出するために光学記憶媒体の領域を読み取る工程であって、前記読み戻し信号が、１つ又は複数の無案内エッジを含む複数のエッジを備えていると工程と無案内エッジの少なくとも第１の１つと、複数のエッジの少なくとも第２の１つに関してタイミングオフセットを測定する工程と、所定のオフセットと比較して、前記１つ又は複数の無案内エッジの少なくとも前記第１の１つ又は前記複数のエッジの少なくとも前記第２の１つの測定されたオフセットに基づく、前記複数のエッジの少なくとも１つに関するオフセット補正を記憶する工程と、から成る方法。
請求項2
前記複数のエッジの前記第２の１つが、１つ又は複数の第２の無案内エッジを含んでおり、前記オフセット補正が、前記無案内エッジの少なくとも前記第１の１つと、前記１つ又は複数の第２の無案内エッジの少なくとも１つと、の前記測定されたオフセットに基づいている、請求項１に記載の方法。
請求項3
前記複数のエッジの前記第２の１つが、１つ又は複数の案内エッジを含んでおり、前記オフセット補正が、前記無案内エッジの少なくとも前記第１の１つと、前記１つ又は複数の案内エッジの少なくとも１つと、の前記測定されたオフセットに基づいている、請求項１に記載の方法。
請求項4
前記１つ又は複数の案内エッジから数ビットの距離に基づき、前記少なくとも１つの無案内エッジに関してオフセット補正値を直線的に抽出することによって補正されたオフセットを計算する工程を更に備えている、請求項３に記載の方法。
請求項5
前記補正されたオフセットを計算する工程が、前の案内エッジと次の案内エッジの測定されたタイミングオフセットに基づいて、前記少なくとも１つの無案内エッジに関するオフセットに基づいて値を計算する工程を備えている、請求項３に記載の方法。
請求項6
前記補正されたオフセットを計算する工程が、前記前の案内エッジから数ビットの距離と、前記次の案内エッジから数ビットの距離に基づいて前記オフセット補正の値を直線的に抽出する工程を備えている、請求項５に記載の方法。
請求項7
前記領域が所定のパターンデータを含んでいる、請求項１に記載の方法。
請求項8
１つ又は複数の測定命令を発出するための前記所定のパターンデータを処理する工程と、前記１または複数の測定命令に応えて前記タイミングオフセットを測定する工程と、を更に備えている、請求項７に記載の方法。
請求項9
前記複数のエッジの前記第２の１つが、案内エッジを更に含んでおり、前記所定のパターンデータを処理する工程が、前記案内エッジに対応する前記所定のパターンデータでマーク／スペースの組み合わせを見つける工程と、それに応えて案内エッジ測定命令を発出する工程と、を備えている、請求項８に記載の方法。
請求項10
較正命令に従って前記光学記憶媒体の前記領域を読み取る前に、前記光学記憶媒体の前記領域に前記パターンデータを書き込む工程と、前記較正命令と前記パターンデータを備えているビットストリームを受け取る工程であって、前記ビットストリームが、前記パターンデータに重畳された前記較正命令を備えている、工程と、前記較正命令に従って前記タイミングオフセットを測定する工程と、を更に備えている、請求項７に記載の方法。
請求項11
１つ又は複数の前記無案内エッジに関する補正されたオフセットを、１つ又は複数の前記較正命令と相関させる工程を更に備えている、請求項１０に記載の方法。
請求項12
１つ又は複数の前記無案内エッジに関する補正されたオフセットを、前記所定のパターンデータの１つ又は複数のランレングスと相関させる工程を更に備えている、請求項１０に記載の方法。
請求項13
複数の前記案内エッジと複数の前記無案内エッジに関するタイミングオフセットを測定する工程と、前記複数の案内エッジの測定されたオフセットに基づいて前記複数の無案内エッジのそれぞれに関するオフセット補正を計算する工程と、を更に備えている、請求項３に記載の方法。
請求項14
前記オフセット補正に基づいて、データを前記光学記憶媒体へ書き込むための少なくとも１つのタイミングオフセットを計算する工程を更に備えている、請求項１３に記載の方法。
請求項15
前記無案内エッジ毎に遷移タイプを確定する工程と、前記無案内エッジ毎の前記オフセット補正を前記遷移タイプと相関させる工程と、を更に備えている、請求項１３に記載の方法。
請求項16
前記遷移タイプが、遷移前の前記光学記憶媒体の第１のマーク及び／又はスペースのランレングスと、遷移後の前記光学記憶媒体の第２のマーク及び／又はスペースのランレングスと、に対応している、請求項１５に記載の方法。
請求項17
前記補正されたオフセットに基づいて、前記遷移タイプの１つに対応するデータを書き込むための少なくとも１つのタイミングオフセットを計算する工程を更に備えている、請求項１５に記載の方法。
請求項18
前記複数の案内エッジ間で前記タイミングオフセットを推定する工程と、特定のエッジの配置のエラーと無関係なエッジジッターを計算するために、前記無案内エッジの前記測定されたタイミングオフセットから前記推定されたタイミングオフセットを差し引く工程と、を更に備えている、請求項１３に記載の方法。
請求項19
前記タイミングオフセットの少なくとも１つに従って、位相固定ループ（ＰＬＬ）の出力を調整する工程を更に備えている、請求項１に記載の方法。
請求項20
光学記憶媒体のから読み取り及び／又は光学記憶媒体のへ書き込むための機器において、読み戻し信号を発出するために、前記光学記憶媒体の領域を読み取るように構成された読み取りモジュールであって、前記読み戻し信号が、１つ又は複数の無案内エッジを含んでいる複数のエッジを備えている、読み取りモジュールと、前記１つ又は複数の無案内エッジを含んでの少なくとも第１の１つと、前記複数のエッジの少なくとも第２の１つと、に関するタイミングオフセットを測定するように構成された測定モジュールと、前記１つ又は複数の無案内エッジの少なくとも前記第１の１つ又は前記複数のエッジの前記第２の１つの測定されたオフセットに基づいて、前記複数のエッジの少なくとも１つに関する補正されたオフセットを計算するように構成された論理と、を備えている機器。
請求項21
前記複数のエッジの前記第２の１つが、１つ又は複数の案内エッジを含んでおり、前記論理は、前記１つ又は複数の案内エッジの少なくとも１つから数ビットの距離に基づいて、第１の無案内エッジに関するオフセット補正値を直線的に抽出するように更に構成されている、請求項２０に記載の機器。
請求項22
前記複数のエッジの前記第２の１つが、複数の案内エッジを含んでおり、前記論理が、前の案内エッジと次の案内エッジの測定されたタイミングオフセットに基づいて、第１の無案内エッジに関するオフセット値を計算するように更に構成されている、請求項２０に記載の機器。
請求項23
前記論理が、前の案内エッジから数ビットの距離および次の案内エッジから数ビットの距離に基づいて、前記補正されたオフセットを直線的に抽出するように更に構成されている、請求項２２に記載の機器。
請求項24
前記領域が所定のパターンデータを含んでいる、請求項２０に記載の機器。
請求項25
１つ又は複数の測定命令を発出するために、所定のパターンデータを処理するように構成されているパターン処理モジュールを更に備えており、前記光学記憶媒体の前記領域が、前記所定のパターンデータを含んでおり、前記測定モジューが、前記１つ又は複数の測定命令に応えて前記タイミングオフセットを測定するように更に構成されている、請求項２４に記載の機器。
請求項26
前記パターン処理モジュールが更に、前記案内エッジに対応する前記所定のパターンデータのマーク／スペースの組み合わせを見つけるように、また、それに応えて案内エッジ測定命令を発出するように、更に構成されている、請求項２５に記載の機器。
請求項27
較正命令に従って、前記所定のパターンデータを前記光学記憶媒体へ書き込むように構成された書き込みモジュールを更に備えている、請求項２４に記載の機器。
請求項28
前記論理が、前記１つ又は複数の無案内エッジに関する補正されたオフセットを１つ又は複数の前記較正命令と相関させるように更に構成されている、請求項２７に記載の機器。
請求項29
コントローラーが、前記１つ又は複数の無案内エッジに関する補正されたオフセットを前記所定のパターンデータの１つ又は複数のランレングスと相関させるように更に構成されている、請求項２７に記載の機器。
請求項30
前記読み取りモジュールが、位相固定ループ（ＰＬＬ）を更に備えており、ならびに前記論理が、１つ又は複数の前記案内エッジに関する前記タイミングオフセットに従って、ＰＬＬ調整信号を前記ＰＬＬに提供するように更に構成されている、請求項２０に記載の機器。
請求項31
前記測定モジュールが、複数の案内エッジと、複数の無案内エッジと、に関する前記タイミングオフセットを測定するように更に構成されており、前記論理が、前記複数の案内エッジの１つ又は複数の測定されたオフセットに基づいて、前記複数の無案内エッジ毎に補正されたオフセットを計算するように構成されている、請求項２０に記載の機器。
請求項32
前記論理が、前記補正されたオフセットに基づいて、データを前記光学記憶媒体に書き込むために少なくとも１つの書き取り特性を計算するように更に構成されている、請求項３１に記載の機器。
請求項33
前記論理が、前記複数の無案内エッジのそれぞれ毎に遷移タイプを確定するように、また、前記複数の無案内エッジのそれぞれ毎に前記補正されたオフセットを前記遷移タイプと相関させるように、更に構成されている、請求項３１に記載の機器。